広島大学でCMOSトラジスタ・IC作製実習を開催

　学生・社会人向けの教育活動の一環として、毎年恒例のCMOSトランジスタ・IC作製実習を広島大学で8月19日-24日（6日間）に行いました。
　今年の参加者は、半導体実践講座実習プログラムの社会人8名、ナノテクプラッフォーム学生研修プログラムの大学生・高専生2名、その他高等専門学校生インターンシップの2名、 学内受講生1名の総勢13名です。
　この実習で作製するデバイスは、AlゲートのnMOS、pMOSトランジスタを基本とするCMOSインバータ、NAND、NOR等です。受講者自身が好きなものを設計しても構いません。(今年は半加算器を設計した学生がいました。)　最小加工寸法はDMD（デジタルマイクロミラーデバイス）方式マスクレス露光装置を用いた3μmです。
　実習初日はレイアウト設計ツールを用い、受講者自身が作りたいCMOSデバイスの設計を行いました。2日目から4日目はスーパークリーンルームでのデバイス作製、残りの5日目、6日目は電気的特性測定を行いました。昨年度は受講者が24名と非常に多かったため、一人当たりの測定時間が非常に限られてしまいましたが、今年度は受講者数を制限して一人当たりの測定時間を増やすことで、十分満足出来る測定を行うことが出来ました。
　この実習は今後も実施する予定です。ご興味のある方は是非受講して下さい。